SK 海力士已完结对中国江苏无锡 DRAM 内存晶圆厂的制程转化作业，首要工艺已从 1z nm（注：第三代 10 纳米级）晋级至 1a nm（第四代 10 纳米级）。

  无锡晶圆厂为 SK 海力士贡献了约 1/3 的 DRAM 产能，报导指在该厂当下每月 18~19 万片 12 英寸晶圆的投片量中已有大致九成为 1a nm。因为 1a nm 需求 EUV 光刻但相关设备存在进口约束，因而无锡所产 1a nm 产品需求在韩国完结部分过程。

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